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HMC-ALH369	文件：565.86 Kbytes Page：6 Pages	GaAsHEMTMMICLOWNOISEAMPLIFIER GeneralDescription TheHMC-ALH369isaGaAsMMICHEMTthreestage,self-biasedLowNoiseAmplifierdiewhichoperatesbetween24and40GHz.Theamplifierprovides22dBofgain,fromasinglebiassupplyof+5V@66mAwithanoisefigureof2dB.TheHMC-ALH369amplifierdieisidealfori	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HVC369	文件：20.85 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features •LowcapacitanceandtobeusableatGHz. •Highcapacitanceratio.(n=2.3min) •Lowseriesresistance.(rs=0.5Ωmax) •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVC369B	文件：41.49 Kbytes Page：2 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO FEATURES •LowcapacitanceandtobeusableatGHz. •Highcapacitanceratio.(n=2.3min) •Lowseriesresistance.(rs=0.5Ωmax) •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
HVC369B	文件：20.85 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features •LowcapacitanceandtobeusableatGHz. •Highcapacitanceratio.(n=2.3min) •Lowseriesresistance.(rs=0.5Ωmax) •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVC369B	文件：235.15 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features •LowcapacitanceandtobeusableatGHz. •Highcapacitanceratio.(n=2.3min) •Lowseriesresistance.(rs=0.5Ωmax) •UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVD369B	文件：33.21 Kbytes Page：1 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features ●LowcapacitanceandtobeusableatGHz. ●Highcapacitanceratio.(n=2.3min) ●Lowseriesresistance.(r=0.5Ωmax) ●SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
HVD369B	文件：147.67 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVD369B	文件：35.71 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features •LowcapacitanceandtobeusableatGHz. •Highcapacitanceratio.(n=2.3min) •Lowseriesresistance.(rs=0.5Ωmax) •SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVD369B	文件：149.8 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features •LowcapacitanceandtobeusableatGHz. •Highcapacitanceratio.(n=2.3min) •Lowseriesresistance.(rs=0.5Ωmax) •SupersmallFlatLeadPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVD369B	文件：44.16 Kbytes Page：1 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features ●LowcapacitanceandtobeusableatGHz. ●Highcapacitanceratio.(n=2.3min) ●Lowseriesresistance.(r=0.5Ωmax) ●SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	ZHAOXINGWEI Zhaoxingwei Electronics ., Ltd	ZHAOXINGWEI

详细参数

型号：
BLF369,112
功能描述：
射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS 65V 100A
RoHS：
否
制造商：
Freescale Semiconductor
配置：
Single
频率：
1800 MHz to 2000 MHz
增益：
27 dB
输出功率：
100 W
封装/箱体：
NI-780-4
封装：
Tray

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