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BLF182XR分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

BLF182XR
厂商型号

BLF182XR

参数属性

BLF182XR 封装/外壳为SOT-1121B;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B

功能描述

Power LDMOS transistor
RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B

封装外壳

SOT-1121B

文件大小

1.32235 Mbytes

页面数量

15

生产厂商 Ampleon USA Inc.
企业简称

AMPLEON安谱隆

中文名称

安谱隆官网

原厂标识
AMPLEON
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:00:00

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BLF182XR规格书详情

BLF182XR属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由安谱隆制造生产的BLF182XR晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

General description

A 250 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and industrial

applications in the HF to 600 MHz band.

Features and benefits

 Easy power control

 Integrated double sided ESD protection

 Excellent ruggedness

 High efficiency

 Excellent thermal stability

 Designed for broadband operation (HF to 600 MHz)

 Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

 Industrial, scientific and medical applications

 Broadcast transmitter applications

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BLF182XRU

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    LDMOS(双),共源

  • 频率:

    108MHz

  • 增益:

    28dB

  • 功率 - 输出:

    250W

  • 封装/外壳:

    SOT-1121B

  • 供应商器件封装:

    SOT-1121B

  • 描述:

    RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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