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BLD6G21LS-50

RF Manual 16th edition

General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p

文件:9.37507 Mbytes 页数:130 Pages

恩XP

恩XP

BLD6G21LS-50

TD-SCDMA 2010 MHz to 2025 MHz fully integrated Doherty transistor

文件:129.139 Kbytes 页数:14 Pages

恩XP

恩XP

BLD6G21LS-50,112

Package:SOT-1130B;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130B

Ampleon USA Inc.

Ampleon USA Inc.

BLE3107A18M5G

SOT23-5

MICRONE/微盟

上传:深圳广友电子有限公司

MICRONE/微盟

BLE3121AM6G

SOT23-3

MICRONE/微盟

上传:深圳广友电子有限公司

MICRONE/微盟

详细参数

  • 型号:

    BLD6G21LS-50

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 65V 10.2A Trans MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
恩XP
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SMD
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长期供应原装现货实单可谈
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更多BLD6G21LS-50供应商 更新时间2025-12-2 10:27:00