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MAX6331_UR-T	文件：102.03 Kbytes Page：8 Pages	PrecisionShuntRegulatorswithResetinSOT23-3 GeneralDescription TheMAX6330/MAX6331combineaprecisionshuntregulatorwithapower-onresetfunctioninasingleSOT23-3package.Theyofferalow-costmethodofoperatingsmallmicroprocessor(µP)-basedsystemsfromhigh-voltagesources,whilesimultaneouslyprotectingµPsfrompower-up,p	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX6331_UR-T	文件：223.55 Kbytes Page：8 Pages	PrecisionShuntRegulatorswithResetinSOT23-3	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX6331_UR-T	文件：1.11925 Mbytes Page：9 Pages	PrecisionShuntRegulatorswithResetinSOT23-3	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX6331-T	文件：179.16 Kbytes Page：14 Pages	5-PinuPSupervisoryCircuitswithWatchdogandManualReset	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MCH6331	文件：60.09 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •LowON-resistance •4Vdrive •Halogenfreecompliance	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MCH6331	文件：1.05713 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MCH6331	文件：496.47 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelPowerMOSFET ThisPowerMOSFETisproducedusingONSemiconductor’strenchtechnology,whichisspecificallydesignedtominimizegatechargeandlowonresistance.Thisdeviceissuitableforapplicationswithlowgatechargedrivingorlowonresistancerequirements. Features •LowOn-Resistance •4Vdriv	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH6331	文件：491.72 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MCH6331-TL-H	文件：496.47 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelPowerMOSFET ThisPowerMOSFETisproducedusingONSemiconductor’strenchtechnology,whichisspecificallydesignedtominimizegatechargeandlowonresistance.Thisdeviceissuitableforapplicationswithlowgatechargedrivingorlowonresistancerequirements. Features •LowOn-Resistance •4Vdriv	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH6331-TL-W	文件：496.47 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelPowerMOSFET ThisPowerMOSFETisproducedusingONSemiconductor’strenchtechnology,whichisspecificallydesignedtominimizegatechargeandlowonresistance.Thisdeviceissuitableforapplicationswithlowgatechargedrivingorlowonresistancerequirements. Features •LowOn-Resistance •4Vdriv	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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