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BL6306P	文件：300 bytes Page：1 Pages	-20V, Dual P Channel MOSFETs	Galaxy 银河微电	Galaxy
FDC6306P	文件：235.41 Kbytes Page：8 Pages	Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench??MOSFET General Description These P-Channel 2.5V specified MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices have been desig 文件：235.41 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDG6306P	文件：61.66 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET General Description This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged gate version of Fairchild’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V). Features –0.6 A, –20 V. Rds(on)= 420 mΩ@ VGS= –4.5 V 文件：61.66 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
PT6306	文件：319.25 Kbytes Page：3 Pages	3 AMP HIGH-PERFORMANCE ADJUSTABLE ISR 文件：319.25 Kbytes 页数：3 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

AEC Qualified：
NO
Pb Free：
YES
Halide free：
YES
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Configuration：
Dual
Channel Polarity：
P
ESD：
Y
TJ(°C)max.：
150
TJ(°C)min.：
-55
PD(W)Max.：
0.3
V(BR)DSS(V)Min.：
-20
VGS(V)Max.：
±12
ID(A)Max.：
-0.6
IGSS(uA)Max.：
±10
VGS(th)(V)Max.：
-1.2
RDS(on)(mΩ)@4.5VTyp.：
305
RDS(on)(mΩ)@4.5VMax.：
480
RDS(on)(mΩ)@2.5VTyp.：
390
RDS(on)(mΩ)@2.5VMax.：
670
RDS(on)(mΩ)@1.8VTyp.：
540
RDS(on)(mΩ)@1.8VMax.：
950
ECCN(US)：
EAR99
Category：
双MOSFETs

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