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FDG6306P中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FDG6306P
厂商型号

FDG6306P

功能描述

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

文件大小

61.66 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
FAIRCHILD
数据手册

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更新时间

2025-8-4 11:20:00

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FDG6306P规格书详情

General Description

This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged gate version of Fairchild’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management

applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V).

特性 Features

–0.6 A, –20 V. Rds(on)= 420 mΩ@ VGS= –4.5 V

Rds(on)= 630 mΩ@ VGS= –2.5 V

Low gate charge

High performance trench technology for extremely low Rds(on)

Compact industry standard SC70-6 surface mount package

产品属性

  • 型号:

    FDG6306P

  • 功能描述:

    MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
2511
SC-70-6
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电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
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SOT363
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SOT-363
36520
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