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BL1012	文件：300 bytes Page：1 Pages	1A, 20V, 0.35W, N Channel, Power MOSFETs	Galaxy 银河微电	Galaxy
BL1012G LSOP-4L	文件：300 bytes Page：1 Pages	General Purpose 1-ch; SOP	Galaxy 银河微电	Galaxy
BL1012HG	文件：300 bytes Page：1 Pages	General Purpose 1-ch; SOP	Galaxy 银河微电	Galaxy
ML1012R	文件：50.83 Kbytes Page：5 Pages	FOR OPTICAL INFORMATION SYSTEMS DESCRIPTION ML1XX2 is a high power AlGaInP semiconductor laser which provides a stable, single transverse mode oscillation with emission wavelength of 685-nm and standard CW light output of 30mW. ML1XX2 has a window-mirror-facet which improves the maximum output power. That leads to highly relia 文件：50.83 Kbytes 页数：5 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
VTB1012B	文件：27.55 Kbytes Page：1 Pages	VTB Process Photodiodes PRODUCT DESCRIPTION Small area planar silicon photodiode in a “flat” window, dual lead TO-46 package. The package incorporates an infrared rejection filter. Cathode is common to the case. These diodes have very high shunt resistance and have good blue response. 文件：27.55 Kbytes 页数：1 Pages	PERKINELMER	PERKINELMER
VTP1012	文件：26.02 Kbytes Page：1 Pages	VTP Process Photodiodes PRODUCT DESCRIPTION Small area planar silicon photodiode in a “flat” window TO-46 package. Cathode is common to the case. These diodes exhibit low dark current under reverse bias and fast speed of response. 文件：26.02 Kbytes 页数：1 Pages	PERKINELMER	PERKINELMER

技术参数

AEC Qualified：
NO
Pb Free：
YES
Halide free：
YES
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Configuration：
Single
Channel Polarity：
N
ESD：
Y
TJ(°C)max.：
150
TJ(°C)min.：
-55
PD(W)Max.：
0.35
V(BR)DSS(V)Min.：
20
VGS(V)Max.：
±10
ID(A)Max.：
1
IGSS(uA)Max.：
±10
VGS(th)(V)Max.：
1
RDS(on)(mΩ)@4.5VTyp.：
250
RDS(on)(mΩ)@4.5VMax.：
396
RDS(on)(mΩ)@2.5VTyp.：
300
RDS(on)(mΩ)@2.5VMax.：
456
RDS(on)(mΩ)@1.8VTyp.：
370
RDS(on)(mΩ)@1.8VMax.：
546
ECCN(US)：
EAR99
Category：
中低压功率MOS

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更多BL1012供应商更新时间2026-7-27 19:21:00

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