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BRI630	文件：600.09 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET(200V/9A)	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BTM-630	文件：116.53 Kbytes Page：1 Pages	BC08StereoSpeakerA2DPModule	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BTS630	文件：133.78 Kbytes Page：8 Pages	PWMPowerUnit(Thedeviceallowscontinuouspowercontrolforlamps,LEDsorinductiveloads.) PWMPowerUnit Thedeviceallowscontinuouspowercontrolforlamps,LEDsorinductiveloads. •Highsideswitch •Overtemperaturprotection •Shortcircuit/overloadprotectionthroughpulsewidtreductionandoverloadshutdown •Loaddumpprotection •Undervoltageandovervoltageshutdownw	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
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BW630RAGU	文件：9.70248 Mbytes Page：93 Pages	MoldedCaseCircuitBreakers	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
C630	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux42TEx166.5mm •Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
C630	文件：5.29445 Mbytes Page：66 Pages	AluminumElectrolyticCapacitors	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
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CEB630N	文件：596.04 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEBF630	文件：506.98 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
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CED630N	文件：1.73292 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CED630N	文件：611.08 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 200V,7.5A,RDS(ON)=0.36W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEDF630	文件：502.77 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●200V,9A,RDS(ON)=400mΩ@VGS=10V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandlingcapability. ●TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEF630N	文件：375.05 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BK/GDC630MA供应商更新时间2024-9-21 16:06:00

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