LF (125 kHz)

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Balluff

巴鲁夫

Photoelectric Sensors

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Balluff

巴鲁夫

Pressure Sensors

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Balluff

巴鲁夫

Rad-Hard, quad high speed NAND gate

Features • 1.8 V to 3.3 V nominal supply • 3.6 V max. operating • 4.8 V AMR • Very high speed: propagation delay of 3 ns maximum guaranteed • Pure CMOS process • CMOS output • Ultra low power • 300 krad TID targeted • 125 MeV.cm2/mg SEL free • 62.5 MeV.cm2/mg SET free Description The

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STMICROELECTRONICS

意法半导体