BIDNW30N60H3 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 BOURNS/伯恩斯（邦士）

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	1

厂家型号：
BIDNW30N60H3
产品分类：
芯片
生产厂商：
BOURNS/伯恩斯（邦士）
库存数量：
2992
产品封装：
con
生产批号：
21607+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-5-21 9:30:00

数据手册更多货源

详细信息
规格书下载

原厂料号：BIDNW30N60H3品牌：BOURNS

现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格

BIDNW30N60H3是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商BOURNS/Bourns Inc.生产封装con/TO-247-3的BIDNW30N60H3晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
BIDNW30N60H3
规格书：
下载下载2
企业简称：
BOURNS【伯恩斯（邦士）】详情
厂商全称：
Bourns Inc.
中文名称：
伯恩斯（邦士）
内容页数：
10 页
文件大小：
1335.14 kb
资料说明：
BIDNW30N60H3 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

产品属性

类型
描述
产品编号：
BIDNW30N60H3
制造商：
Bourns Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，30A
开关能量：
1.85mJ（开）， 450µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/67ns
测试条件：
400V，30A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247N-3L
描述：
IGBT 600V 30A TRENCH TO-247N-3L

供应商

企业：
北京天阳诚业科贸有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
王伟越
手机：
13969210552
询价：
电话：
13969210552
地址：
德州市德城区三八东路东汇大厦A座1420室

BIDNW30N60H3 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 BOURNS/伯恩斯（邦士）

BIDNW30N60H3

产品属性

供应商

相关型号

相近型号