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BIDNW30N60H3	文件：1.33514 Mbytes Page：10 Pages	BIDNW30N60H3 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) GeneralInformation TheBourns®ModelBIDNW30N60H3IGBTdevicecombinestechnologyfromaMOS gateandabipolartransistorforanoptimumcomponentforhighvoltageandhighcurrent applications.ThisdeviceusesTrench-GateField-Stoptechnologyprovidinggreater controlofdynamiccharacter	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
BIDNW30N60H3	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 30A TRENCH TO-247N-3L	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
IGA30N60H3	文件：1.62111 Mbytes Page：15 Pages	Highspeedswitchingseriesthirdgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGB30N60H3	文件：1.63937 Mbytes Page：14 Pages	600Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGB30N60H3	文件：1.45972 Mbytes Page：14 Pages	600Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGP30N60H3	文件：2.10965 Mbytes Page：14 Pages	Highspeedswitchingseriesthirdgeneration TRENCHSTOPtechnologyoffering •verylowturn-offenergy •lowVCEsat •lowEMI •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating,halogen-freemouldcompound,RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGP30N60H3	文件：269.93 Kbytes Page：2 Pages	TrenchandFieldstopIGBT DESCRIPTION ·Verylowturn-offenergy ·LowVCEsat ·Maximumjunctiontemperature175℃ ·LowEMI APPLICATIONS ·Converterswithhighswitchingfrequency ·Weldingconverters ·Uninterruptiblepowersupplies	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IGW30N60H3	文件：1.5673 Mbytes Page：14 Pages	HighspeedIGBTINTrenchandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW30N60H3	文件：2.19193 Mbytes Page：16 Pages	IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-paralleldiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW30N60H3	文件：1.64752 Mbytes Page：16 Pages	HighspeedDuopack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnology Features: TRENCHSTOP™technologyoffering •verylowVCEsat •lowEMI •Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •completeproductspectrumandPSpiceMod	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

产品属性

产品编号：
BIDNW30N60H3
制造商：
Bourns Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，30A
开关能量：
1.85mJ（开）， 450µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/67ns
测试条件：
400V，30A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247N-3L
描述：
IGBT 600V 30A TRENCH TO-247N-3L

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更多BIDNW30N60H3供应商更新时间2024-5-13 15:00:00

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