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BSS138	文件：114.76 Kbytes Page：5 Pages	50VN-ChannelEnhancementModeMOSFET-ESDProtected FEATURES •RDS(ON),VGS@10V,IDS@500mA=3Ω •RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@200mA=4Ω •RDS(ON),VGS@2.5V,IDS@100mA=6Ω •AdvancedTrenchProcessTechnology •HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance •VeryLowLeakageCurrentInOffCondition •SpeciallyDesignedforBatteryOperatedSystem	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BSS138	文件：125.66 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperformance.Theseprod	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BSS138	文件：481.32 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features •50V,0.22A, RDS(ON)=3.5Ω@VGS=10V RDS(ON)=6.0Ω@VGS=4.5V •HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). •RuggedandReliable. •SOT-23package	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
BSS138	文件：92.3 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •TheBSS138Qissuitableforautomotive	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BSS138	文件：139.53 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliant GreenDevice(Notes3and4) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BSS138	文件：58.78 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET SOT23N-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET PARTMARKINGDETAIL–SS	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BSS138	文件：138.1 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(NchannelEnhancementmodeLogicLevel) SIPMOS®Small-SignalTransistor •Nchannel •Enhancementmode •LogicLevel •VGS(th)=0.8...2.0V	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BSS138	文件：485.65 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BSS138	文件：222.17 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalMOSFETN-Channel Features: LowOn-Resistance:3.5Ω LowInputCapacitance:40PF LowOutputCapacitance:12PF LowThreshole:1.5V FastSwitchingSpeed:20ns Application: DCtoDCConverter Cellular&PCMCIACard CordlessTelephone *PowerManagementinPortableandBatteryetc.	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
BSS138	文件：1.96228 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features Lowon-resistance N-ChannelMOSFET Lowinputcapacitance Fastswitchingspeed ESDProtection	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
BSS138	文件：1.27011 Mbytes Page：5 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS Features HighdensitycelldesignforextremelylowRpson) RuggedandRelaible	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BSS138	文件：1.48102 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET Features ●VDS(V)=50V ●ID=300mA(VGS=10V) ●RDS(ON)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
BSS138_NL	文件：126.57 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperformance.Theseprod	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BSS138A	文件：326.89 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BSS138AKA	文件：718.06 Kbytes Page：16 Pages	60V,singleN-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSS138BK	文件：865.01 Kbytes Page：16 Pages	60V,360mAN-channelTrenchMOSFET Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. Featuresandbenefits -Logic-levelcompatible -Veryfastswitching -TrenchMOSFETtechn	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BSS138BK	文件：865.01 Kbytes Page：16 Pages	60V,360mAN-channelTrenchMOSFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BSS138BK	文件：1.96664 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features Lowon-resistance N-ChannelMOSFET Lowinputcapacitance Fastswitchingspeed ESDProtection	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
BSS138BK	文件：1.58605 Mbytes Page：16 Pages	60V,360mAN-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 1.2Featuresandbenefits Logic-levelcompatible Veryfastswitching TrenchMOSFETtechnology ES	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSS138BKAHZG	文件：5.29776 Mbytes Page：14 Pages	Nch60V400mASmallSignalMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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详细参数

型号：
BH138AUH
功能描述：
通用继电器
RoHS：
否
制造商：
Omron Electronics
触点形式：
1 Form A(SPST-NO)
触点电流额定值：
150 A
线圈电压：
24 VDC
线圈电阻：
144 Ohms
线圈电流：
167 mA
切换电压：
400 V
安装风格：
Chassis

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