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BGB707L7ESD中文资料多功能 LNA数据手册Infineon规格书

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厂商型号

BGB707L7ESD

参数属性

BGB707L7ESD 封装/外壳为6-XFDFN 裸露焊盘;包装为托盘;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC RF AMP 802.11A/B/G/N TSLP7-1

功能描述

多功能 LNA
IC RF AMP 802.11A/B/G/N TSLP7-1

封装外壳

6-XFDFN 裸露焊盘

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 17:05:00

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BGB707L7ESD规格书详情

描述 Description

BGB707L7ESD 是一款基于英飞凌硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术的高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC。

特性 Features

• 最小噪声系数 NFmin = 0.6 dB(2.4 GHz、3 V、3 mA)
• 集成 ESD 保护:所有引脚均为 2 kV HBM

应用 Application

• 电动汽车充电

简介

BGB707L7ESD属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由制造生产的BGB707L7ESD射频放大器在射频应用中,射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于,它们通常适用于更高的频率,更倾向于提供不可调节的固定增益,并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BGB707L7ESD

  • 生产厂家

    :Infineon

  • NF

    :0.4 dB

  • P-1dB (in)

    :10 dBm

  • Frequency

    :50 MHz - 10 GHz

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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23+
TSLP6
50000
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