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BGA7M1N6	文件：220.85 Kbytes Page：2 Pages	Infineon?셲 New LTE Low Noise Amplifiers Almost Double Smartphone Data Rates 文件：220.85 Kbytes 页数：2 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BGA7M1N6	文件：1.32611 Mbytes Page：22 Pages	Silicon Germanium Low Noise Amplifier for LTE 文件：1.32611 Mbytes 页数：22 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BGA7M1N6	文件：300 bytes Page：1 Pages	多功能 LNA Silicon Germanium Low Noise Amplifier for LTE Insertion power gain: 13.0 dB Low noise figure: 0.60 dB Low current consumption: 4.4 mA Operating frequencies: 1805 - 2200 MHz Supply voltage: 1.5 V to 3.3 V Digital on/off switch (1V logic high level) Ultra small TSNP-6-2 leadless package (footprint: 0.7 x 1.1 mm2) B7HF Silicon Germanium technology;	Infineon 英飞凌	Infineon
BGA7M1N6E6327	文件：33.03 Kbytes Page：1 Pages	Material Content Data Sheet 文件：33.03 Kbytes 页数：1 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BGA7M1N6E6327_15	文件：33.03 Kbytes Page：1 Pages	Material Content Data Sheet 文件：33.03 Kbytes 页数：1 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BGA7M1N6E6327XTSA1	文件：220.85 Kbytes Page：2 Pages	Infineon?셲 New LTE Low Noise Amplifiers Almost Double Smartphone Data Rates 文件：220.85 Kbytes 页数：2 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BGA7M1N6E6327XTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-XFDFN；包装：托盘类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC AMP LTE 1.8GHZ-2.2GHZ TSNP6-2	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Product Status：
active and preferred
Package name：
TSNP-6-2
Green：
yes
Halogen-free：
yes
Frequency：
1805 - 2200 MHz
Gain [dB]：
13
I [mA]：
4.4
NF [dB]：
0.6

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