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BGA7L1N6E6327XTSA1RF/IF射频/中频RFID射频放大器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BGA7L1N6E6327XTSA1 |
| 参数属性 | BGA7L1N6E6327XTSA1 封装/外壳为6-XFDFN；包装为托盘；类别为RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器；产品描述：IC AMP LTE 728MHZ-960MHZ TSNP6-2 |
| 功能描述 | Infineon?셲 New LTE Low Noise Amplifiers Almost Double Smartphone Data Rates |
| 文件大小 |
220.85 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
Infineon【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-4-30 9:20:00 |
BGA7L1N6E6327XTSA1规格书详情
BGA7L1N6E6327XTSA1属于RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器。英飞凌科技公司制造生产的BGA7L1N6E6327XTSA1射频放大器在射频应用中，射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于，它们通常适用于更高的频率，更倾向于提供不可调节的固定增益，并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。
产品属性
- 产品编号：
BGA7L1N6E6327XTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
- 包装：
托盘
- 频率：
728MHz ~ 960MHz
- P1dB：
-10dBm
- 增益：
13.3dB
- 噪声系数：
0.9dB
- 射频类型：
LTE
- 电压 - 供电：
1.5V ~ 3.3V
- 电流 - 供电：
4.4mA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
6-XFDFN
- 供应商器件封装：
PG-TSNP-6-2
- 描述：
IC AMP LTE 728MHZ-960MHZ TSNP6-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
21+ |
模块 |
4000 |
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询价 | ||
INFINEO |
2020+ |
TSNP-6 |
80000 |
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询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
N/A |
17512 |
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INFINEON/英飞凌 |
2022 |
QFN |
80000 |
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Infineon |
22+/23+ |
PG-TSNP-6-2 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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INFINEON |
22+ |
TSNP-6 |
32350 |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
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Infineon Technologies |
21+ |
6-XFDFN |
5000 |
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INFINEON |
23+ |
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INFINEON/英飞凌 |
22+ |
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