多功能 LNA

BGA5M1BN6 是用于 LTE 的前端低噪声放大器，覆盖 1805 MHz 至 2200 MHz 的宽频率范围。该 LNA 在 9.5mA 电流消耗下提供 19.3 dB 增益和 0.65 dB 噪声系数。在旁路模式下，LNA 提供 4.7 dB 的插入损耗。BGA5M1BN6 基于英飞凌科技的 B9HF 硅锗技术。其工作电源电压为 1.5 V 至 3.6 V。该设备具有单线双态控制（旁路模式和高增益模式）。可以通过关闭 VCC 来启用 OFF 状态。 • 插入功率增益：19.3 dB\n• 低噪声系数：0.65 dB\n• 工作频率：1805 - 2200 MHz\n• 电源电压：1.5 V 至 3.6 V\n• B9HF 硅锗技术\n• 外部元件数量少\n• 无铅（符合 RoHS 标准）封装;

Infineon

英飞凌

丝印：5；Package：TSNP-6-10；18dB High Gain Low Noise Amplifier for LTE Midband

文件：330.38 Kbytes 页数：12 Pages

INFINEON

英飞凌

Package：6-XFDFN；包装：盒 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF AMP LTE 1.805GHZ-2.2GHZ

INFINEON

英飞凌

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Infineon Technologies

上传：深圳市集好芯城科技有限公司

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