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BGA5M1BN6RF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料

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厂商型号

BGA5M1BN6

参数属性

BGA5M1BN6 封装/外壳为6-XFDFN;包装为盒;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC RF AMP LTE 1.805GHZ-2.2GHZ

功能描述

18dB High Gain Low Noise Amplifier for LTE Midband
IC RF AMP LTE 1.805GHZ-2.2GHZ

丝印标识

5

封装外壳

TSNP-6-10 / 6-XFDFN

文件大小

330.38 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

Infineon

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-20 9:06:00

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BGA5M1BN6规格书详情

BGA5M1BN6属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由英飞凌科技股份公司制造生产的BGA5M1BN6射频放大器在射频应用中,射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于,它们通常适用于更高的频率,更倾向于提供不可调节的固定增益,并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BGA5M1BN6E6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

  • 频率:

    1.805GHz ~ 2.2GHz

  • P1dB:

    -17dBm

  • 增益:

    19.3dB

  • 噪声系数:

    0.65dB

  • 射频类型:

    LTE

  • 电压 - 供电:

    1.5V ~ 3.6V

  • 电流 - 供电:

    9.5mA

  • 测试频率:

    2GHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-XFDFN

  • 供应商器件封装:

    PG-TSNP-6-10

  • 描述:

    IC RF AMP LTE 1.805GHZ-2.2GHZ

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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