多功能 LNA

BGA5L1BN6 是用于 LTE 的前端低噪声放大器，覆盖 600 MHz 至 1000 MHz 的宽频率范围。该 LNA 在电流消耗为 8.2mA 时提供 18.5 dB 增益和 0.7 dB 噪声系数。在旁路模式下，LNA 提供 2.7 dB 的插入损耗。BGA5L1BN6 基于英飞凌科技的 B9HF 硅锗技术。其工作电源电压为 1.5 V 至 3.6 V。该器件具有单线双态控制（旁路和高增益模式）。可以通过关闭 VCC 来启用 OFF 状态。 • 工作频率：600 - 1000 MHz\n• 旁路模式下的插入损耗：2.7 dB\n• 低电流消耗：8.2mA\n• 超小型 TSNP-6-2 和 TSNP-6-10 无引线封装\n• 外部元件数量少;

Infineon

英飞凌

丝印：3；Package：TSNP-6-10；18dB High Gain Low Noise Amplifier for LTE Lowband

文件：330.54 Kbytes 页数：12 Pages

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英飞凌

Package：6-XFDFN；包装：托盘 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF AMP LTE

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英飞凌

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Infineon Technologies

上传：深圳市集好芯城科技有限公司

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