BGA5L1BN6中文资料多功能 LNA数据手册Infineon规格书

描述 Description

BGA5L1BN6 是用于 LTE 的前端低噪声放大器，覆盖 600 MHz 至 1000 MHz 的宽频率范围。该 LNA 在电流消耗为 8.2mA 时提供 18.5 dB 增益和 0.7 dB 噪声系数。在旁路模式下，LNA 提供 2.7 dB 的插入损耗。BGA5L1BN6 基于英飞凌科技的 B9HF 硅锗技术。其工作电源电压为 1.5 V 至 3.6 V。该器件具有单线双态控制（旁路和高增益模式）。可以通过关闭 VCC 来启用 OFF 状态。

特性 Features

• 工作频率：600 - 1000 MHz
• 旁路模式下的插入损耗：2.7 dB
• 低电流消耗：8.2mA
• 超小型 TSNP-6-2 和 TSNP-6-10 无引线封装
• 外部元件数量少

应用 Application

• 车载充电（OBC）

简介

BGA5L1BN6属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由制造生产的BGA5L1BN6射频放大器在射频应用中，射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于，它们通常适用于更高的频率，更倾向于提供不可调节的固定增益，并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。