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FDD18N20LZ	文件：1.16307 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel UniFETTM MOSFET 200 V, 16 A, 125 m廓文件：1.16307 Mbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDD18N20LZ	文件：1.01032 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 文件：1.01032 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Type：
N-Channel Enhancement
Voltage (V)：
200
Current (A)：
18
Rdson (Ohm)_TYP：
120m
Rdson (Ohm)_MAX：
180m
Available Available：
TO-251/252/220F

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更多BG18N20供应商更新时间2026-1-17 17:00:00

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