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B530C	文件：48.52 Kbytes Page：2 Pages	5.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER DescriptionandApplications ThisSchottkyBarrierRectifierisdesignedtomeetthegeneralrequirementsofcommercialapplications.Itisideallysuitedforuseasa: •PolarityProtectionDiode •Re-CirculatingDiode •SwitchingDiode FeaturesandBenefits •GuardRingDieConstructionfo	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
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B530CE	文件：478.38 Kbytes Page：5 Pages	5.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER DescriptionandApplications ThisSchottkyBarrierRectifierisdesignedtomeetthegeneral requirementsofcommercialapplications.Itisideallysuitedforuseas a: PolarityProtectionDiode Re-CirculatingDiode SwitchingDiode FeaturesandBenefits GuardRingDieConstructio	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
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BD530	文件：83.61 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONAMPLIFIERTRANSISTORS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
BFU530	文件：310.33 Kbytes Page：22 Pages	NPNwidebandsiliconRFtransistor Generaldescription NPNsiliconRFtransistorforhighspeed,lownoiseapplicationsinaplastic,4-pindual-emitterSOT143Bpackage. TheBFU530ispartoftheBFU5familyoftransistors,suitableforsmallsignaltomediumpowerapplicationsupto2GHz. Featuresandbenefits ■Lownoise,hi	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFU530A	文件：300.4 Kbytes Page：22 Pages	NPNwidebandsiliconRFtransistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFU530W	文件：302.51 Kbytes Page：22 Pages	NPNwidebandsiliconRFtransistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFU530X	文件：307.12 Kbytes Page：22 Pages	NPNwidebandsiliconRFtransistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFU530XR	文件：316.66 Kbytes Page：22 Pages	NPNwidebandsiliconRFtransistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BS530	文件：74.15 Kbytes Page：2 Pages	PhotodiodeforUltra-vlolet	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
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C530	文件：405.25 Kbytes Page：1 Pages	250WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT 250WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux21(24)TEx166.5mm(24TEfor5Voutputs) •Weight1.7kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
CDBB530-G	文件：96.16 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBB530-HF	文件：96.08 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CSMC530	文件：144.09 Kbytes Page：3 Pages	5.0Amp.SurfaceMountSchottkyBarrierDiodes	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
DRT-J530	文件：155.21 Kbytes Page：2 Pages	HD-PLCAdaptor	MITSUMIMITSUMI ELECTRIC CO.,LTD. 美上美三美电机株式会社	MITSUMI
E530	文件：1.01281 Mbytes Page：8 Pages	EngineeringCatalog169 SurfaceMountLEDs,SOT-23Package SurfaceMount,Bi-ColorLEDs,SOT-23Package SurfaceMount,GullWingLEDs SurfaceMountLEDs(RectangularLens) SurfaceMountLEDs(RoundLens) SurfaceMountLEDswithResistor-5V SurfaceMountLEDswithResistor-12V SurfaceMount,Bi-ColorLEDs Surf	GILWAY Gilway Technical Lamp	GILWAY
EX530	文件：371.48 Kbytes Page：1 Pages	HeavyDutyIndustrialMultiMeters	EXTECHExtech Instruments Corporation. Extech Instruments Corporation.	EXTECH

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产品属性

产品编号：
BFU530WX
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
11GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.6dB @ 900MHz
增益：
18.5dB
功率 - 最大值：
450mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 10mA，8V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
40mA
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SC-70
描述：
RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3

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更多BFU530WX供应商更新时间2024-5-21 18:26:00

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