BFU530XR分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BFU530XR |
| 参数属性 | BFU530XR 封装/外壳为SOT-143R；包装为托盘；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频；产品描述：RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R |
| 功能描述 | NPN wideband silicon RF transistor |
| 文件大小 |
316.66 Kbytes |
| 页面数量 |
22 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-27 20:00:00 |
BFU530XR规格书详情
BFU530XR属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。恩智浦半导体公司制造生产的BFU530XR晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
- 产品编号：
BFU530XRVL
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
11GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.1dB @ 1.8GHz
- 增益：
16.5dB
- 功率 - 最大值：
450mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 10mA，8V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
40mA
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-143R
- 供应商器件封装：
SOT-143R
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
23+ |
SOT-143 |
100586 |
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询价 | ||
NXP(恩智浦) |
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NXP/恩智浦 |
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NXP/恩智浦 |
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NXP/恩智浦 |
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SOT143 |
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