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BFS17S分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

BFS17S
厂商型号

BFS17S

参数属性

BFS17S 封装/外壳为6-VSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS 2NPN 15V 1.4GHZ SOT363

功能描述

NPN Silicon RF Transistor
RF TRANS 2NPN 15V 1.4GHZ SOT363

封装外壳

6-VSSOP,SC-88,SOT-363

文件大小

47.58 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
INFINEON
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:03:00

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BFS17S规格书详情

BFS17S属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的BFS17S晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

NPN Silicon RF Transistor

• For broadband amplifiers up to 1 GHz at collector currents from 1 mA to 20 mA

• BFS17S: For orientation in reel see package information below

• Pb-free (RoHS compliant) package

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BFS17SH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    2 NPN(双)

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    15V

  • 频率 - 跃迁:

    1.4GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    3dB ~ 5dB @ 800MHz

  • 功率 - 最大值:

    280mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 2mA,1V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    25mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-VSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT363-PO

  • 描述:

    RF TRANS 2NPN 15V 1.4GHZ SOT363

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM/罗姆
24+
SOT23
12866
公司现货库存,支持实单
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PHI
24+
NA/
1531
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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Infineon(英飞凌)
24+
标准封装
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25+
SOT363
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SOT-363SOT-323-6
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