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BFR520	文件：127.12 Kbytes Page：12 Pages	NPN 9 GHz wideband transistor DESCRIPTION The BFR520 is an npn silicon planar epitaxial transistor, intended for applications in the RF frontend in wideband applications in the GHz range, such as analog and digital cellular telephones, cordless telephones (CT1, CT2, DECT, etc.), radar detectors, pagers and satellite TV tune 文件：127.12 Kbytes 页数：12 Pages	PHI PHI	PHI
BFR520	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p 文件：9.37507 Mbytes 页数：130 Pages	恩XP	恩XP
BFR520	文件：197.47 Kbytes Page：7 Pages	isc Silicon NPN RF Transistor DESCRIPTION ·High Power Gain ·High Current Gain Bandwidth Product ·Low Noise Figure APPLICATIONS ·Designed for RF frontend in wideband applications in the GHz range,such as analog and digital cellular telephones, cordless. 文件：197.47 Kbytes 页数：7 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BFR520	文件：80.22 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN RF Transistor DESCRIPTION • High Power Gain • High Current Gain Bandwidth Product • Low Noise Figure APPLICATIONS • Designed for RF frontend in wideband applications in the GHz range.such as analog and digital cellular telephones, cordless. 文件：80.22 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BFR520T	文件：147.81 Kbytes Page：12 Pages	NPN 9 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN transistor in a plastic SOT416 (SC75) envelope. It is intended for wideband applications such as satellite TV tuners, cellular phones, cordless phones, pagers etc., with signal frequencies up to 2 GHz. FEATURES • High power gain • Low noise figure • High transit 文件：147.81 Kbytes 页数：12 Pages	PHI PHI	PHI
BFR520T	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p 文件：9.37507 Mbytes 页数：130 Pages	恩XP	恩XP
BFR520.215	文件：169.58 Kbytes Page：14 Pages	The BFR520 is an NPN silicon planar epitaxial transistor in a SOT23 plastic package 文件：169.58 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
BFR520_15	文件：109.59 Kbytes Page：12 Pages	NPN 9 GHz wideband transistor 文件：109.59 Kbytes 页数：12 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
BFR520_2015	文件：109.59 Kbytes Page：12 Pages	NPN 9 GHz wideband transistor 文件：109.59 Kbytes 页数：12 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
BFR520T_15	文件：115.39 Kbytes Page：12 Pages	NPN 9 GHz wideband transistor 文件：115.39 Kbytes 页数：12 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

晶体管资料

型号：
BFR520
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_SA_电视（TV）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.07A
最大工作频率：
9GHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
20
htest：
9000000000
atest：
0.07
wtest：
0

技术参数

VCEO(V)：
15
ICM(mA)：
70
PT(W)：
0.3
2(dB)：
13
NF(dB)：
1.6
GUM(dB)：
15
@Vce(V)：
6
@Ic(mA)：
20
@fT(GHz)：
0.9
Package：
SOT23
兼容型号：
BFR520

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