BFR360F数据手册分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF

描述 Description

NPN Silicon RF Transistor

特性 Features

·Low noise amplifier for low current applications
·Collector design supports 5V supply voltage
·For oscillators up to 3.5 GHz
·Low noise figure 1.0 dB at 1.8 GHz
·Pb-free (RoHS compliant) package
·Qualification report according to AEC-Q101 available

应用 Application

·Wireless Communications
·For amplifier and oscillator applications in RF Front-end

简介

BFR360F属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的BFR360F晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。