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BFR193W数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

BFR193W

功能描述

高线性硅和SiGe:C(硅锗:碳)晶体管,可用于高达6 GHz的频率

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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BFR193W规格书详情

描述 Description

NPN Silicon RF Transistor

特性 Features

·For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz
·For linear broadband amplifiers
·fT = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz
·Pb-free (RoHS compliant) package

应用 Application

·Wireless Communications
·LNA in RF Front-end
·For various applications like cellular and cordless phones, DECT, Tuners, FM, and RF modems.

技术参数

  • 制造商编号

    :BFR193W

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Product Status

    :active and preferred

  • Package name

    :SOT323

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :yes

  • VCEO max [V]

    :12

  • IC max [mA]

    :80

  • NF [dB]

    :1.3

  • Gmax [dB]

    :16

  • OIP3 [dB]

    :30

  • OP1dB [dBm]

    :15

  • fT [GHz]

    :8

  • Ptot max [mW]

    :580

  • Package

    :SOT323

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
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标准封装
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