BFR193 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 INFINEON/英飞凌

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1+	0.12345

厂家型号：
BFR193
产品分类：
芯片
生产厂商：
INFINEON/英飞凌
库存数量：
20300
产品封装：
SOT-23
生产批号：
25+
库存类型：
热卖库存
更新时间：
2025-8-3 14:14:00

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原厂料号：BFR193品牌：INFINEON/英飞凌

INFINEON/英飞凌原装特价BFR193即刻询购立享优惠#长期有货

BFR193是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商INFINEON/英飞凌/Infineon Technologies生产封装SOT-23/SOT-723的BFR193晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
BFR193
规格书：
下载下载2
企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技股份公司
内容页数：
7 页
文件大小：
80.25 kb
资料说明：
NPN Silicon RF Transistor

产品属性

类型
描述
产品编号：
BFR193FH6327XTSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
8GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益：
12.5dB
功率 - 最大值：
580mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 30mA，8V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
80mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-723
供应商器件封装：
PG-TSFP-3
描述：
RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3

供应商

企业：
中天科工半导体（深圳）有限公司
商铺：
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联系人：
李先生
手机：
13128990370
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电话：
13128990370/微信同号
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BFR193 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 INFINEON/英飞凌

BFR193

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