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BFR10	文件：146.76 Kbytes Page：1 Pages	Medium Power Amplifiers and Switches 文件：146.76 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BFR106	文件：189.42 Kbytes Page：5 Pages	Low Noise Figure DESCRIPTION • Low Noise Figure NF = 2.5 dB TYP. @VCE = 8 V, IC = 20 mA, f = 900 MHz • High Gain ︱ S21e︱ 2 = 10.5 dB TYP. @VCE= 8 V,IC = 70 mA,f = 900 MHz APPLICATIONS • Designed for use in low noise ,high-gain amplifiers and linear broadband amplifiers. 文件：189.42 Kbytes 页数：5 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BFR106	文件：63.23 Kbytes Page：8 Pages	NPN 5 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a plastic SOT23 envelope. It is primarily intended for low noise, general RF applications. 文件：63.23 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BFR106	文件：80.64 Kbytes Page：7 Pages	丝印：R7s；Package：SOT-23；NPN Silicon RF Transistor Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor • High linearity low noise RF transistor • 22 dBm OP1dB and 31 dBm OIP3 @ 900 MHz, 8 V, 70 mA • For UHF / VHF applications • Driver for multistage amplifiers • For linear broadband and antenna amplifiers • Collector design supports 5 V supply voltage 文件：80.64 Kbytes 页数：7 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFR106	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p 文件：9.37507 Mbytes 页数：130 Pages	恩XP	恩XP
BFR106	文件：73.76 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN RF Transistor DESCRIPTION • Low Noise Figure NF = 2.5 dB TYP. @VCE = 8 V, IC = 20 mA, f = 900 MHz • High Gain ︱ S21e︱ 2 = 10.5 dB TYP. @VCE= 8 V,IC = 70 mA,f = 900 MHz APPLICATIONS • Designed for use in low noise ,high-gain amplifiers and linear broadband amplifiers. 文件：73.76 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BFR106	文件：57.83 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers For linear broadband amplifiers) NPN Silicon RF Transistor • For low noise, high-gain amplifiers • For linear broadband amplifiers • Special application: antenna amplifiers • Complementary type: BFR 194 (PNP) 文件：57.83 Kbytes 页数：7 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BFR106	文件：229.01 Kbytes Page：10 Pages	NPN 5 GHz wideband transistor 文件：229.01 Kbytes 页数：10 Pages	PHI PHI	PHI
BFR106	文件：523.74 Kbytes Page：9 Pages	丝印：R7s；Package：SOT-23；NPN Silicon RF Transistor 文件：523.74 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFR106	文件：622.35 Kbytes Page：8 Pages	丝印：R7s；Package：SOT-23；Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor 文件：622.35 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

晶体管资料

型号：
BFR10
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
射频/高频放大（HF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
75V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BFX96,BFX96A,BFX97A,BSS27,BSW53,BSX59,2N2218A,2N2219A,3DG130D,
最大耗散功率：
0.8W
放大倍数：
图片代号：
C-40
vtest：
75
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.8

技术参数

ICmax：
210 mA
NFmin：
1.80 dB @900 MHz
OIP3：
31 dBm @900 MHz
OP1dB：
22 dBm @900 MHz
VCEOmax：
15 V
Package：
SOT23

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