Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

文件：1.41685 Mbytes 页数：28 Pages

Infineon

英飞凌

Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

文件：1.48023 Mbytes 页数：28 Pages

Infineon

英飞凌

Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

文件：1.48023 Mbytes 页数：28 Pages

Infineon

英飞凌

低噪声RF 管基

BFP840ESD 是专为高性能 5 GHz 频段设计的分立异质结双极晶体管 (HBT)。 • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：最大 RF 输入功率 20 dBm，1.5kV HBM ESD 硬度\n• 高增益 Gms = 22.5 dB @ 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA\n• 适用于低压应用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻）;

Infineon

英飞凌

低噪声RF 管基

BFP840FESD 是一款分立式射频异质结双极晶体管 (HBT)，具有集成 ESD 保护功能，适用于 5 GHz 频段应用。 • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：最大 RF 输入功率 20 dBm，1.5kV HBM ESD 硬度\n• 高增益 Gms = 23 dB（5.5 GHz、1.8 V、10 mA）\n• 适用于低压应用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻）\n• 薄型、小尺寸无引线封装;

Infineon

英飞凌

Package：SC-82A，SOT-343；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 描述：RF TRANS NPN 2.25V 80GHZ SOT343

Infineon

英飞凌

Package：4-SMD，扁平引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 描述：RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP

Infineon

英飞凌