NPN Silicon RF Transistor

Product Brief The BFP420F is a low noise wideband NPN bipolar RF transistor. The collector design supports voltages up to VCEO = 4.5 V and currents up to IC = 60 mA. The device is especially suited for mobile applications in which low power consumption is a key requirement. The typical transition

文件：49.77 Kbytes 页数：4 Pages

INFINEON

英飞凌

NPN Silicon RF Transistor

文件：63.27 Kbytes 页数：7 Pages

INFINEON

英飞凌

Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor

文件：1.54555 Mbytes 页数：30 Pages

INFINEON

英飞凌

NPN Silicon RF Transistor

文件：63.27 Kbytes 页数：7 Pages

INFINEON

英飞凌

Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor

文件：1.54555 Mbytes 页数：30 Pages

INFINEON

英飞凌

低噪声RF 管基

低噪声硅双极射频晶体管 • 低噪声高增益硅双极射频晶体管\n• 900 MHz、3 V、4 mA 时最小噪声系数典型值为 0.9 dB\n• 2.4 GHz、4 V、40 mA 时 OIP3 典型值为 28 dBm\n• 广泛应用于分立振荡器\n• （“绿色”）封装，带有可见引线;

Infineon

英飞凌

Package：4-SMD，扁平引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 描述：RF TRANS NPN 5.5V 25GHZ 4TSFP

INFINEON

英飞凌