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BFR181T	文件：68.3 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •Highpowergain Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BFR181TF	文件：171.75 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Description Themainpurposeofthisbipolartransistorisbroadbandamplificationupto2GHz.Inthespace-saving3-pinsurface-mountSOT-490packageelectricalperformanceandreliabilityaretakentoanewlevelcoveringasmallerfootprintonPCboardsthanpreviouspackages.Inadditionto	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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BFR181W	文件：56.04 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor)Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •fT=8GHz F=1.45dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFR181W	文件：510.37 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFR181W	文件：79.53 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz •EasytousePb-free(RoHScompliant)andhalogenfreeindustrystandardpackagewithvisibleleads •Qualificationreport	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFR181W	文件：672.64 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFY181	文件：121.95 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor(HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor) Features •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,highgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=8GHz,F=2.2dBat2GHz •eesaqualified •ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFY181	文件：29.15 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollector currentsfrom0,5mAto12mA. •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=8GHz F=2.2dBat2GHz •eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFY181	文件：148.75 Kbytes Page：4 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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详细参数

型号：
BFP181T
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Silicon NPN Planar RF Transistor

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