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BFQ540	文件：120.15 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ·HighGain ·HighOutputVoltage ·LowNoise APPLICATIONS ·DesignedforuseinVHF,UHFandCATVamplifiers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFQ540	文件：77.86 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ·HighGain ·HighOutputVoltage ·LowNoise APPLICATIONS ·DesignedforuseinVHF,UHFandCATVamplifiers.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BFQ540	文件：244.53 Kbytes Page：8 Pages	NPNwidebandtransistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFR540	文件：101.87 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION TheBFR540isannpnsiliconplanarepitaxialtransistor,intendedforapplicationsintheRFfrontendinwidebandapplicationsintheGHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,satelliteTVtuners(SATV),MA	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFR540	文件：207.3 Kbytes Page：7 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •HighPowerGain •HighCurrentGainBandwidthProduct •LowNoiseFigure APPLICATIONS •DesignedforRFfrontendinwidebandapplicationsinthe GHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones, cordlesstelephones(CT1,CT2,DEC,etc.).	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFS540	文件：115 Kbytes Page：11 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaplasticSOT323envelope. ItisintendedforRFwidebandamplifierapplicationssuchassatelliteTVsystemsandRFportablecommunicationequipmentwithsignalfrequenciesupto2GHz. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFS540	文件：253 Kbytes Page：7 Pages	LowNoiseFigure DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,lc=10mA,f=900MHz •HighCurrent-Gain—BandwidthProduct fT=9GHzTYP.@VCE=8V,lc=40mA,f=1GHz APPLICATIONS •DesignedforRFwidebandamplifierapplicationssuchas satelliteTVsystemsandRFportable	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFS540	文件：81.52 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,lc=10mA,f=900MHz •HighCurrent-Gain—BandwidthProduct fT=9GHzTYP.@VCE=8V,lc=40mA,f=1GHz APPLICATIONS •DesignedforRFwidebandamplifierapplicationssuchas satelliteTVsystemsandRFportable	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BFU540	文件：102.72 Kbytes Page：16 Pages	NPNSiGewidebandtransistor DESCRIPTION NPNSiGewidebandtransistorforlowvoltageapplicationsinaplastic,4-pindual-emitterSOT343Rpackage. FEATURES •Veryhighpowergain •Verylownoisefigure •Hightransitionfrequency •Emitteristhermallead •Lowfeedbackcapacitance •45GHzSiGeprocess. APPLICATI	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGB540	文件：724.48 Kbytes Page：24 Pages	A35dBGain-SlopedLNBI.F.AmplifierforDirectBroadcastSatelliteTelevisionApplicationsusingtheBGA430&BGB540SiliconMMICs Description TheBGA430isabroadbandhighgainamplifierbaseduponInfineonTechnologies’SiliconBipolarTechnologyB6HF.HousedinasmallSOT363packagethisSiliconMonolithicMicrowaveIntegratedCircuit(MMIC)requiresveryfewexternalcomponentsduetotheintegratedbiasingconcept.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BFG540W/XR	恩XP	24+	标准封装	13548	全新原装正品/价格优惠/质量保障	询价
深圳市博浩通科技有限公司	BFG540W/XR	恩XP	23+	SOT343R	21000	原装现货特价热销	询价
深圳市金华微盛电子有限公司	BFG540W/XR	恩XP	2019+	SOT-343	78550	原厂渠道可含税出货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	BFG540W/XR	恩XP	23+	N/A	12000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	BFG540W/XR	恩XP	24+	SOT-343	504244	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司	BFG540W/XR	恩XP	2024+	N/A	70000	柒号只做原装现货价秒杀全网	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	BFG540W/XR	恩XP	23+	原厂封装	12300		询价
深圳市一线半导体有限公司	BFG540W/XR	PHI	24+	SOT-343	124000		询价
深圳市凌旭科技有限公司	BFG540W/XR	恩XP	2016+	SOT343	4529	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	BFG540W/XR	恩XP	2020+	SOT343R	450000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价

更多BFG540W/XR供应商更新时间2025-5-28 14:17:00

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