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BFQ540	文件：71.68 Kbytes Page：8 Pages	NPNwidebanddualtransistor DESCRIPTION NPNwidebandtransistorinaSOT89 plasticpackage. FEATURES •Highgain •Highoutputvoltage •Lownoise •Goldmetallizationensuresexcellentreliability •Lowthermalresistance. APPLICATIONS •VHF,UHFandCATVamplifiers.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFQ540	文件：120.15 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ·HighGain ·HighOutputVoltage ·LowNoise APPLICATIONS ·DesignedforuseinVHF,UHFandCATVamplifiers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFQ540	文件：77.86 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ·HighGain ·HighOutputVoltage ·LowNoise APPLICATIONS ·DesignedforuseinVHF,UHFandCATVamplifiers.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BFQ540	文件：244.53 Kbytes Page：8 Pages	NPNwidebandtransistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFR540	文件：101.87 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION TheBFR540isannpnsiliconplanarepitaxialtransistor,intendedforapplicationsintheRFfrontendinwidebandapplicationsintheGHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,satelliteTVtuners(SATV),MA	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFR540	文件：207.3 Kbytes Page：7 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •HighPowerGain •HighCurrentGainBandwidthProduct •LowNoiseFigure APPLICATIONS •DesignedforRFfrontendinwidebandapplicationsinthe GHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones, cordlesstelephones(CT1,CT2,DEC,etc.).	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFS540	文件：115 Kbytes Page：11 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaplasticSOT323envelope. ItisintendedforRFwidebandamplifierapplicationssuchassatelliteTVsystemsandRFportablecommunicationequipmentwithsignalfrequenciesupto2GHz. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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