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BFG25A/X分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

BFG25A/X
厂商型号

BFG25A/X

参数属性

BFG25A/X 封装/外壳为TO-253-4,TO-253AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 5V 5GHZ SOT143B

功能描述

NPN 5 GHz wideband transistor
RF TRANS NPN 5V 5GHZ SOT143B

文件大小

289.38 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-10-31 22:30:00

BFG25A/X规格书详情

DESCRIPTION

NPN silicon wideband transistor in a four-lead dual emitter SOT143B plastic package (cross emitter).

FEATURES

• Low current consumption (100 µA to 1 mA)

• Low noise figure

• Gold metallization ensures excellent reliability.

APPLICATIONS

• RF low power amplifiers, such as pocket telephones, paging systems, with signal frequencies up to 2 GHz.

BFG25A/X属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。恩智浦半导体公司制造生产的BFG25A/X晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BFG25A/X,215

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    5V

  • 频率 - 跃迁:

    5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.8dB ~ 2dB @ 1GHz

  • 功率 - 最大值:

    32mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 500µA,1V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    6.5mA

  • 工作温度:

    175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-253-4,TO-253AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-143B

  • 描述:

    RF TRANS NPN 5V 5GHZ SOT143B

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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