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厂商型号

BFG21W

功能描述

UHF power transistor

丝印标识

P1

封装外壳

SOT-343R

文件大小

116.31 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

PHI

中文名称

飞利浦

数据手册

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更新时间

2025-10-7 12:00:00

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BFG21W规格书详情

DESCRIPTION

NPN double polysilicon bipolar power transistor with buried layer for low voltage medium power applications encapsulated in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343R package.

FEATURES

• High power gain

• High efficiency

• 1.9 GHz operating area

• Linear and non-linear operation.

APPLICATIONS

• Common emitter class-AB output stage in hand held radio equipment at 1.9 GHz such as DECT, PHS, etc.

• Driver for DCS1800, 1900.

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