BFG21W分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BFG21W |
| 参数属性 | BFG21W 封装/外壳为SC-82A，SOT-343；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 4.5V 18GHZ CMPAK-4 |
| 功能描述 | UHF power transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT-343R / SC-82A，SOT-343 |
| 文件大小 |
116.31 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
Philips【飞利浦】 |
| 中文名称 | 荷兰皇家飞利浦官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-15 22:30:00 |
| 人工找货 | BFG21W价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BFG21W规格书详情
DESCRIPTION
NPN double polysilicon bipolar power transistor with buried layer for low voltage medium power applications encapsulated in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343R package.
FEATURES
• High power gain
• High efficiency
• 1.9 GHz operating area
• Linear and non-linear operation.
APPLICATIONS
• Common emitter class-AB output stage in hand held radio equipment at 1.9 GHz such as DECT, PHS, etc.
• Driver for DCS1800, 1900.
产品属性
- 产品编号：
BFG21W,115
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
4.5V
- 频率 - 跃迁：
18GHz
- 功率 - 最大值：
600mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 200mA，2V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
500mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-82A，SOT-343
- 供应商器件封装：
CMPAK-4
- 描述：
RF TRANS NPN 4.5V 18GHZ CMPAK-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
24+ |
SOT-343 |
80000 |
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询价 | ||
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24+ |
SOT323 |
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NXP/恩智浦 |
23+ |
SOT-343 |
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PHILIPS |
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SOT-343 |
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NXP |
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SOT343 |
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NXP/恩智浦 |
24+ |
SOT-343 |
880000 |
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询价 | ||
NXP |
24+ |
SOT343 |
7600 |
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NXP |
23+ |
SOT343 |
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PHILIPS |
24+ |
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NXP |
21+ |
SOT-343 |
10204 |
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