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BFG197/X	文件：93.07 Kbytes Page：13 Pages	NPN 7 GHz wideband transistor DESCRIPTION The BFG197 is a silicon NPN transistor in a 4-pin, dual-emitter plastic SOT143 envelope. It is primarily intended for wideband applications in the GHz range, such as satellite TV systems and repeater amplifiers in fibre-optic systems. FEATURES • High power gain • Low nois 文件：93.07 Kbytes 页数：13 Pages	PHI PHI	PHI
BFG197/XR	文件：93.07 Kbytes Page：13 Pages	NPN 7 GHz wideband transistor DESCRIPTION The BFG197 is a silicon NPN transistor in a 4-pin, dual-emitter plastic SOT143 envelope. It is primarily intended for wideband applications in the GHz range, such as satellite TV systems and repeater amplifiers in fibre-optic systems. FEATURES • High power gain • Low nois 文件：93.07 Kbytes 页数：13 Pages	PHI PHI	PHI
BFG197SLASHX	文件：93.07 Kbytes Page：13 Pages	NPN 7 GHz wideband transistor DESCRIPTION The BFG197 is a silicon NPN transistor in a 4-pin, dual-emitter plastic SOT143 envelope. It is primarily intended for wideband applications in the GHz range, such as satellite TV systems and repeater amplifiers in fibre-optic systems. FEATURES • High power gain • Low nois 文件：93.07 Kbytes 页数：13 Pages	PHI PHI	PHI
BFG197SLASHXR	文件：93.07 Kbytes Page：13 Pages	NPN 7 GHz wideband transistor DESCRIPTION The BFG197 is a silicon NPN transistor in a 4-pin, dual-emitter plastic SOT143 envelope. It is primarily intended for wideband applications in the GHz range, such as satellite TV systems and repeater amplifiers in fibre-optic systems. FEATURES • High power gain • Low nois 文件：93.07 Kbytes 页数：13 Pages	PHI PHI	PHI
BFG198	文件：95.83 Kbytes Page：12 Pages	NPN 8 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN planar epitaxial transistor in a plastic SOT223 envelope, intended for wideband amplifier applications. The device features a high gain and excellent output voltage capabilities. 文件：95.83 Kbytes 页数：12 Pages	PHI PHI	PHI
BFG198	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p 文件：9.37507 Mbytes 页数：130 Pages	恩XP	恩XP
BFG19S	文件：49.37 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon RF Transistor (For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna) • For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems up to 1.5GHz at collector currents from 10 mA to 70 mA • CECC-type available: CECC 50 002/259 文件：49.37 Kbytes 页数：6 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BFG19S	文件：99.17 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon RF Transistor NPN Silicon RF Transistor • For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunication systems up to 1.5 GHz at collector currents from 10 mA to 70 mA 文件：99.17 Kbytes 页数：6 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFG193	文件：62.15 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon RF Transistor 文件：62.15 Kbytes 页数：6 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFG193_07	文件：62.15 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon RF Transistor 文件：62.15 Kbytes 页数：6 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

晶体管资料

型号：
BFG193
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
超高频/特高频（UHF）_宽频带放大（A）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.08A
最大工作频率：
8GHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-99
vtest：
20
htest：
8000000000
atest：
0.08
wtest：
0

技术参数

Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-55°C
Minimum DC Current Gain：
70@30mA@8V
Maximum Transition Frequency：
8000(Typ)MHz
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
2V
Maximum DC Collector Current：
0.08A
Maximum Collector Emitter Voltage：
12V
Maximum Collector Base Voltage：
20V
Material：
Si
Configuration：
Single Dual Emitter

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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