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BFG10WSLASHX	文件：58.4 Kbytes Page：9 Pages	Marking：T5；Package：SOT-343；UHF power transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorencapsulatedinaplastic,4-pindual-emitterSOT343package. FEATURES •Highefficiency •Smallsizediscretepoweramplifier •900MHzand1.9GHzoperatingareas •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS •Common	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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BFG10WSLASHX

文件：58.4 Kbytes

Page：9 Pages

Marking：T5；Package：SOT-343；UHF power transistor

DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorencapsulatedinaplastic,4-pindual-emitterSOT343package. FEATURES •Highefficiency •Smallsizediscretepoweramplifier •900MHzand1.9GHzoperatingareas •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS •Common

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

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更多BFG10WSLASHX供应商更新时间2025-7-21 16:30:00

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