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BFG10SLASHX中文资料飞利浦数据手册PDF规格书

BFG10SLASHX
厂商型号

BFG10SLASHX

功能描述

NPN 2 GHz RF power transistor

丝印标识

-MT

封装外壳

SOT-143

文件大小

74.77 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Philips Semiconductors
企业简称

PHI飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦

数据手册

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更新时间

2025-6-23 10:12:00

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BFG10SLASHX规格书详情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in plastic, 4-pin dual-emitter SOT143 package.

FEATURES

• High power gain

• High efficiency

• Small size discrete power amplifier

• 1.9 GHz operating area

• Gold metallization ensures excellent reliability.

APPLICATIONS

• Common emitter class-AB operation in hand-held radio equipment at 1.9 GHz.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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