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BUZ900	文件：82.31 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BUZ900DP	文件：45.61 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET POWERMOSFETSFORAUDIOAPPLICATIONS FEATURES •HIGHSPEEDSWITCHING •N–CHANNELPOWERMOSFET •SEMEFABDESIGNEDANDDIFFUSED •HIGHVOLTAGE(160V&200V) •HIGHENERGYRATING •ENHANCEMENTMODE •INTEGRALPROTECTIONDIODE •P–CHANNELALSOAVAILABLEASBUZ905DP&am	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BUZ900DP	文件：302.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=160V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUZ900P	文件：43.7 Kbytes Page：4 Pages	N?밅HANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
BWA-UCT-900	文件：108 Kbytes Page：2 Pages	SureCross짰RS-485toUSBAdapterCable	BANNERBanner Engineering Corp. 邦纳电子邦纳电子（苏州）有限公司	BANNER
BZA900A	文件：79.72 Kbytes Page：12 Pages	QuadrupleESDtransientvoltagesuppressor	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BZA900A	文件：165.59 Kbytes Page：9 Pages	QuadrupleESDtransientvoltagesuppressor	ETC	ETC
BZA900A_SER	文件：346.64 Kbytes Page：10 Pages	QuadrupleESDtransientvoltagesuppressor FEATURES •ESDrating>8kV,accordingtoIEC61000-4-2 •SOT665surfacemountpackage •Commonanodeconfiguration. APPLICATIONS •Computersandperipherals •Audioandvideoequipment •Communicationsystems DESCRIPTION MonolithictransientvoltagesuppressordiodeinafiveleadSOT665packag	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BZA900AVL	文件：85.67 Kbytes Page：11 Pages	QuadruplelowcapacitanceESDsuppressor	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BZA900AVL	文件：177.15 Kbytes Page：11 Pages	QuadruplelowcapacitanceESDsuppressor	ETC	ETC

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