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BF888H6327XTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-82A，SOT-343；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-343	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BF975NF75A	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	BYD 比亚迪半导体上传：深圳市联世界科技有限公司	BYD
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BF998R	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-143	PHI PHI 上传：深圳市宏誉半导体有限公司	PHI

产品属性

产品编号：
BF888H6327XTSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
4V
频率 - 跃迁：
47GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
增益：
27dB
功率 - 最大值：
160mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
250 @ 25A, 3V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-82A，SOT-343
供应商器件封装：
PG-SOT343-4-2
描述：
MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-343

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