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BF822	文件：41.77 Kbytes Page：8 Pages	NPN high-voltage transistors DESCRIPTION NPN high-voltage transistor in a SOT23 plastic package. PNP complements: BF821; BF823. FEATURES • Low current (max. 50 mA) • High voltage (max. 300 V). APPLICATIONS • Telephony and professional communication equipment. 文件：41.77 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BF822	文件：86.29 Kbytes Page：3 Pages	SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS N–P–N transistors SOT-23 Formed SMD Package 文件：86.29 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
BF822	文件：169.05 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors • Power dissipation – 1.5 W • Plastic case SOT-223 • Weight approx. – 0.04 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and reeled 文件：169.05 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
BF822	文件：172.01 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors • Power dissipation – 1.5 W • Plastic case SOT-223 • Weight approx. – 0.04 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and reeled 文件：172.01 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
BF822	文件：105.78 Kbytes Page：6 Pages	NPN high-voltage transistors DESCRIPTION NPN high-voltage transistor in a SOT23 plastic package. PNP complements: BF821; BF823. FEATURES • Low current (max. 50 mA) • High voltage (max. 300 V). APPLICATIONS • Telephony and professional communication equipment. 文件：105.78 Kbytes 页数：6 Pages	恩XP	恩XP
BF822	文件：158.46 Kbytes Page：3 Pages	NPN General Purpose Amplifier FEATURES ● Low current(max.50mA). ● High voltage(max.300V). APPLICATIONS ● Telephony and professional communication equipment. 文件：158.46 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
BF822	文件：49.69 Kbytes Page：2 Pages	丝印：1X；Package：SOT-23；Small Signal Transistors (NPN) FEATURES ◆ NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors especially suited for application in class-B video output stages of TV receivers and monitors. ◆ As complementary types, the PNP transistors BF821 and BF823 are recommended. 文件：49.69 Kbytes 页数：2 Pages	GE	GE
BF822	文件：612.42 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Low current (max.50 mA) ● High voltage (max.300V) ● Telephony and professional communication equipment. 文件：612.42 Kbytes 页数：2 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
BF822	文件：590.66 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Low current (max.50 mA) ● High voltage (max.300V) ● Telephony and professional communication equipment. 文件：590.66 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
BF822	文件：37.51 Kbytes Page：1 Pages	NPN High-Voltage Transistors Features ● Low current (max. 50 mA) ● High voltage (max. 300 V). 文件：37.51 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

晶体管资料

型号：
BF822(S)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_视频输出（Vid）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
250V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
>60MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BFN22,BFN24,BFN26,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
250
htest：
60000100
atest：
0.05
wtest：
0

技术参数

Package name：
SOT23
Size (mm)：
2.9 x 1.3 x 1
Polarity：
NPN
Ptot (mW)：
250
VCEO [max] (V)：
250
IC [max] (mA)：
50
hFE [min]：
50
Tj [max] (°C)：
150
fT [min] (MHz)：
60
Automotive qualified：
N

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