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BSP550	文件：76.97 Kbytes Page：7 Pages	MiniPROFET(High-sideswitchShort-circuitprotectionInputprotectionOvertemperatureprotectionwithhysteresis) MiniPROFET •High-sideswitch •Short-circuitprotection •Inputprotection •Overtemperatureprotectionwithhysteresis •Overloadprotection •Overvoltageprotection •Switchinginductiveload •Clampofnegativeoutputvoltagewithinductiveloads •Undervoltageshutd	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BTS550	文件：289.81 Kbytes Page：15 Pages	SmartHighsideHighCurrentPowerSwitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BTS550P	文件：151.72 Kbytes Page：15 Pages	SmartHighsideHighCurrentPowerSwitch(OverloadprotectionCurrentlimitationShortcircuitprotectionOvertemperatureprotection) GeneralDescription NchannelverticalpowerFETwithchargepump,currentcontrolledinputanddiagnosticfeedbackwithloadcurrentsense,integratedinSmartSIPMOS®chiponchiptechnology.Fullyprotectedbyembeddedprotectionfunctions. Features •Overloadprotection •Currentl	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BTS550P	文件：279.12 Kbytes Page：15 Pages	SmartHighsideHighCurrentPowerSwitch GeneralDescription NchannelverticalpowerFETwithchargepump,currentcontrolledinputanddiagnosticfeedbackwithloadcurrentsense,integratedinSmartSIPMOS®chiponchiptechnology.Providingembeddedprotectivefunctions. Features •Overloadprotection •Currentlimitation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BUF550	文件：269.37 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=10V(Min.) ·Noisefigure(NFTyp)=1.8dB ·9GHzfTsilicontechnology APPLICATIONS ·Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BY550	文件：16.7 Kbytes Page：2 Pages	SILICONRECTIFIERDIODES FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent *Lowforwardvoltagedrop	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BY550	文件：179.43 Kbytes Page：2 Pages	SiliconRectifiers SiliconRectifiers •NominalcurrentñNennstrom5A •Repetitivepeakreversevoltage50...1000V •Plasticcaseÿ5.4x7.5[mm] •Weightapprox.ñGewichtca.1.4g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopackseepage16	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BY550	文件：138.16 Kbytes Page：2 Pages	5.0AMP.SILICONRECTIFIERS FEATURES: Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
BY550-XX	文件：53.37 Kbytes Page：4 Pages	5.0ASTANDARDDIODE DiffusedJunction LowForwardVoltageDrop HighCurrentCapability HighReliability HighSurgeCurrentCapability	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
BY550-XX-TB	文件：53.37 Kbytes Page：4 Pages	5.0ASTANDARDDIODE DiffusedJunction LowForwardVoltageDrop HighCurrentCapability HighReliability HighSurgeCurrentCapability	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE

详细参数

型号：
BF550R
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 25MA I(C) | SOT-23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BF550R供应商更新时间2025-5-29 14:30:00

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