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BF246C	文件：213.66 Kbytes Page：4 Pages	PLASTIC-CASEJUNCTIONFIELD-EFFECTTRANSISTORS N-ChannelJFETs	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BF246C	文件：127.44 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELJUNCTIONFIELD-EFFECTTRANSISTORS	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BF246C	文件：37.19 Kbytes Page：5 Pages	N-channelsiliconjunctionfield-effecttransistors DESCRIPTION GeneralpurposeN-channelsymmetricalsiliconjunctionfield-effecttransistorsinaplasticTO-92variantpackage. FEATURES •Interchangeabilityofdrainandsourceconnections •HighIDSSrange •Frequencyupto450MHz. APPLICATIONS •VHFandUHFamplifiers	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFQ246	文件：46.51 Kbytes Page：6 Pages	PNPvideotransistor DESCRIPTION PNPsilicontransistorencapsulatedina4-leadplasticSOT223package. APPLICATIONS •Primarilyintendedforcascodeoutputandbufferstagesinhighresolutioncolourmonitors.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLF246	文件：86.02 Kbytes Page：12 Pages	VHFpowerMOStransistor DESCRIPTION SiliconN-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorencapsulatedina4-lead,SOT121flangepackage,withaceramiccap.Allleadsareisolatedfromtheflange.Amarkingcode,showinggate-sourcevoltage(VGS)informationisprovidedformatchedpairapplications.Refertot	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLF246	文件：21.77 Kbytes Page：1 Pages	VHFPOWERMOSFET DESCRIPTION: TheASIBLF246isaverticalD-MOStransistordesignedforlargesignalamplifierapplicationsintheVHFfrequencyrange. FEATURESINCLUDE: •PG=13dBTypicalat175MHz •30:1LoadVSWRCapability •Omnigold™metalizationsystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
BLF246	文件：75.53 Kbytes Page：12 Pages	VHFpowerMOStransistor	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司	JMNIC
BLF246	文件：137.39 Kbytes Page：4 Pages	VHPpowerMOStransistor DESCRIPTION SiliconN-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorencapsulatedina4-lead,SOT121Bflangepackagewithaceramiccap.Allleadsareisolatedfromtheflange.Amarkingcode,showinggate-sourcevoltage(VGs)informationisprovidedformatchedpairapplications.Refertot	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BLF246B	文件：88.85 Kbytes Page：16 Pages	VHFpush-pullpowerMOStransistor DESCRIPTION SiliconN-channelenhancementmodeverticalD-MOSpush-pulltransistorencapsulatedinan8-leadSOT161Abalancedflangepackagewithaceramiccap.Allleadsareisolatedfromtheflange. FEATURES •Highpowergain •Easypowercontrol •Goodthermalstability •Goldmetallizati	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BTS-EL246S	文件：5.42821 Mbytes Page：7 Pages	GuardsagainstaccidentaldisconnectionofComputers,PDU’s,ServersandmostNetworkDevices.	BURLAND Burland Technology Solutions	BURLAND

详细参数

型号：
BF246B_Q
功能描述：
JFET N-Channel Transistor
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的
Idss）：
50 mA 漏源电压
VDS：
15 V
漏极连续电流：
50 mA
封装/箱体：
SC-59
封装：
Reel

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更多BF246B_Q供应商更新时间2025-7-16 16:30:00

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