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BF1181

1200V驱动IC IGBT & SiC驱动IC解决方案

BF1181是用于SIC mosfet和igbt的电隔离单通道栅极驱动器。互补输入与5V信号兼容,可直接连接到微控制器。对于输出,驱动峰值电流可达±8A。BF1181提供了去饱和保护、输入输出侧电源UVLO、故障报告、主动米勒箝位和模拟电压采样等功能,使系统运行安全,简化了系统设计。 • AEC-Q100符合汽车应用要求\n• 高达1200V的SiC mosfet和igbt\n• 100KV/μs最小CMTI\n• 8A驱动输出\n• 内置主动铣刀夹\n• 内置去饱和保护\n• 内置输入和输出侧电源UVLO\n• 内置软关闭\n• SOW16包;

BYD

比亚迪半导体

BF1181C

1200V驱动IC IGBT & SiC驱动IC解决方案

BYD

比亚迪半导体

BF1182

1200V驱动IC IGBT & SiC驱动IC解决方案

BYD

比亚迪半导体

BL118

Bi-directional low power RF Remote Control boards

文件:334.73 Kbytes 页数:7 Pages

RADIOMETRIX

BSA118B

BASE STATION ANTENNAS

文件:310.21 Kbytes 页数:2 Pages

PULSE

BTS118D

Smart Lowside Power Switch

General Description N channel vertical power FET in Smart SIPMOS® technology. Fully protected by embedded protection functions. Features • Logic Level Input • Input Protection (ESD) • Thermal shutdown with auto restart • Green product (RoHS compliant) • Overload protection

文件:336.46 Kbytes 页数:10 Pages

INFINEON

英飞凌

技术参数

  • 去饱和保护阈值:

    9V

  • 次级欠压保护:

    11V

  • 次级欠压恢复:

    12V

  • CMTI:

    >100V/ns

  • 驱动外拉电流:

    8A

  • 驱动内灌电流:

    8A

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更多BF118供应商 更新时间2026-3-10 8:02:00