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BDY26 | NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA LF Large Signal Power Amplification High Current Fast Switching 文件：264.23 Kbytes 页数：4 Pages | COMSET | COMSET | |
BDY26 | NPN SILICON TRANSISTORS DIFFUSED MESA [COMSET SEMICONDUCTORS] NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA LF Large Signal Power Amplification High Current Fast Switching 文件：167.24 Kbytes 页数：4 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC | |
BDY26 | isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 180V(Min.) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.6V(Max)@ IC = 2A • High Switching Speed APPLICATIONS • Designed for LF signal powe amplifier applications. 文件：224.89 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
BDY26 | NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA. 文件：78.22 Kbytes 页数：3 Pages | COMSET | COMSET | |
BDY26 | Silicon NPN Power Transistor 文件：132.16 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | |
HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR FEATURES • HIGH SWITCHING CURRENTS • HIGH RELIABILITY • CECC SCREENING OPTIONS • SPACE QUALITY LEVELS OPTIONS • JAN LEVEL SCREENING OPTIONS APPLICATIONS • SWITCHING REGULATORS • LINEAR APPLICATIONS 文件：49.09 Kbytes 页数：2 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB | ||
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 180V(Min.) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.6V(Max)@ IC = 2A • High Switching Speed APPLICATIONS • Designed for LF signal powe amplifier applications. 文件：184.08 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR 文件：49.09 Kbytes 页数：2 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB | ||
HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR 文件：49.1 Kbytes 页数：2 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB | ||
HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR 文件：20.98 Kbytes 页数：2 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
300V
- 最大电流允许值：
6A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
BDY98,BU109,BUY21,BUY77,3DK208D,
- 最大耗散功率：
85W
- 放大倍数：
- 图片代号：
E-44
- vtest：
300
- htest：
999900
- atest：
6
- wtest：
85
详细参数
- 型号：
BDY26
- 制造商：
COMSET
- 制造商全称：
Comset Semiconductor
- 功能描述：
NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-3 |
10000 |
全新 |
询价 | |||
原装 |
专业铁帽 |
TO-3 |
67500 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
TO-3 |
80660 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
sml |
25+ |
500000 |
行业低价,代理渠道 |
询价 | |||
PHI |
23+ |
TO-3 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
TO-3 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
专业铁帽 |
TO-3 |
500 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
询价 | ||
恩XP |
1430+ |
TO-3 |
5800 |
全新原装,公司大量现货供应,绝对正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-126F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
TO-126F |
60000 |
询价 |
