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BDY26C	文件：184.08 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 180V(Min.) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.6V(Max)@ IC = 2A • High Switching Speed APPLICATIONS • Designed for LF signal powe amplifier applications. 文件：184.08 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDY26C	文件：49.1 Kbytes Page：2 Pages	HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR 文件：49.1 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
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BDY26CZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor	Comset	Comset

详细参数

型号：
BDY26C
制造商：
SEME-LAB
制造商全称：
Seme LAB
功能描述：
HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市威尔健半导体有限公司	BDY34	ON/安森美	23+	TO-126F	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

更多BDY26C供应商更新时间2025-10-9 16:01:00

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