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BDY80	文件：258.029 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：258.029 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDY80	文件：76.57 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：76.57 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDY80	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 100V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3	NJS 新泽西半导体	NJS
BDY80B	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 35V 4A	NJS 新泽西半导体	NJS

晶体管资料

型号：
BDY80(A,B,C)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD243,BD533,BD585,BD737,3DD64B,
最大耗散功率：
36W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
40
htest：
999900
atest：
4
wtest：
36

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
120V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.5@0.5A@5A
Maximum Collector Emitter Voltage：
100V
Maximum DC Collector Current：
10A
Maximum Emitter Base Voltage：
6V
Maximum Operating Temperature：
175°C
Maximum Power Dissipation：
60000mW
Maximum Transition Frequency：
70(Typ)MHz
Type：
NPN

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