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BDX34BG	文件：93.81 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Complementary Silicon Power Transistors 文件：93.81 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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BDX34B	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans Darlington PNP 80V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk	NJS	NJS
BDX34B	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor	Comset	Comset
BDX34B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 80V 10A TO220	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BDX34BTSTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 80V 10A TO220-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BDX34BTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 80V 10A TO220-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
BDX34B
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
>20MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD266A,BD648,BD700,BDT62A,BDT64A,BDW94B,FC75B,
最大耗散功率：
70W
放大倍数：
β>750
图片代号：
B-10
vtest：
80
htest：
20000100
atest：
10
wtest：
70

产品属性

产品编号：
BDX34B
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 6mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 3A，3V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS PNP DARL 80V 10A TO220

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