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BDX34B	文件：91.9 Kbytes Page：7 Pages	Transistor de puissance PNP darlington • Designed for Complementary Use with BDX33, BDX33A, BDX33B, BDX33C and BDX33D • 70 W at 25°C Case Temperature • 10 A Continuous Collector Current • Minimum hFE of 750 at 3 V , 3 A 文件：91.9 Kbytes 页数：7 Pages	POINN	POINN
BDX34B	文件：93.89 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High DC current gain ·DARLINGTON ·Complement to type BDX33/A/B/C APPLICATIONS ·For power linear and switching applications 文件：93.89 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BDX34B	文件：95.47 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High DC current gain ·DARLINGTON ·Complement to type BDX33/A/B/C APPLICATIONS ·For power linear and switching applications 文件：95.47 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BDX34B	文件：35.88 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION The BDX33B and BDX33C are silicon Epitaxial-Base NPN power transistors in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-220 plastic package. They are intented for use in power linear and switching applications. The complementary PNP types are BDX34B and BDX34C respectively. 文件：35.88 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BDX34B	文件：100.14 Kbytes Page：3 Pages	NPN/PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS NPN/PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS Power Darlington for Linear Switchilng Application 文件：100.14 Kbytes 页数：3 Pages	TEL	TEL
BDX34B	文件：166.7 Kbytes Page：7 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS 文件：166.7 Kbytes 页数：7 Pages	POINN	POINN
BDX34B	文件：123.24 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS 文件：123.24 Kbytes 页数：6 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns
BDX34B	文件：73.67 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Complementary Silicon Power Transistors 文件：73.67 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BDX34B	文件：93.81 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Complementary Silicon Power Transistors 文件：93.81 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BDX34BG	文件：73.67 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Complementary Silicon Power Transistors 文件：73.67 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
BDX34B
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
>20MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD266A,BD648,BD700,BDT62A,BDT64A,BDW94B,FC75B,
最大耗散功率：
70W
放大倍数：
β>750
图片代号：
B-10
vtest：
80
htest：
20000100
atest：
10
wtest：
70

产品属性

产品编号：
BDX34B
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 6mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 3A，3V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS PNP DARL 80V 10A TO220

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