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BDX33C

Designed for Complementary Use with BDX34, BDX34A, BDX34B, BDX34C and BDX34D

文件:97.23 Kbytes 页数:5 Pages

BOURNS

伯恩斯

BDX33CG

Darlington Complementary Silicon Power Transistors

文件:73.67 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BDX33CG

Darlington Complementary Silicon Power Transistors

文件:93.81 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BDX33CG

Darlington Complementary Silicon Power Transistors

文件:100.54 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BDX33C

10 A,100 V,NPN 达林顿双极功率晶体管

The 10 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general purpose and low speed switching applications. The BDX33B, BDX33C, BDX34B and BDX34C are complementary devices. • High DC Current Gain -hFE = 2500 (typ.) at IC = 4.0\n• Collector-Emitter Sustaining Voltage at 100 mAdc VCEO(sus) = 80 Vdc (min.)BDX33B, 34B VCEO(sus) = 100 Vdc (min.) - BDX33C, 34C\n• Low Collector-Emitter Saturation Voltage CE(sat) = 2.5 Vdc (max.) at IC = 3.0 AdcBDX33B, 33C/34B, 34C\n• Monolith;

ONSEMI

安森美半导体

BDX33C

BJT 双极性三极管

SPTECH

质超微

SPTECH

BDX33C

Transistor

Comset

BDX33C

Package:TO-220-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 100V 10A TO220

ONSEMI

安森美半导体

BDX33C

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 100V 10A TO220

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BDX33C-S

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 100V 10A TO220

Bourns Inc.

Bourns Inc.

晶体管资料

  • 型号:

    BDX33C

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    10A

  • 最大工作频率:

    >20MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD267B,BD649,BD701,BDT63B,BDT65B,BDW93C,YZ25D,

  • 最大耗散功率:

    70W

  • 放大倍数:

    β>750

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    100

  • htest:

    20000100

  • atest:

    10

  • wtest:

    70

产品属性

  • 产品编号:

    BDX33C

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2.5V @ 6mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 3A,3V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 10A TO220

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
STM
19+
TO-220-3
50
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ST(意法半导体)
24+
TO-220
942
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FAIRCHILD/仙童
24+
TO-220
10000
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ST/意法
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TO-220
32000
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STM
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2000
TO-220-3
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更多BDX33C供应商 更新时间2026-4-21 17:30:00